IPZ40N04S5-8R4 Infineon Technologies
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 211+ | 59.16 грн |
| 250+ | 56.79 грн |
| 500+ | 54.74 грн |
| 1000+ | 51.06 грн |
| 2500+ | 45.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPZ40N04S5-8R4 Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 34W; PG-TSDSON-8, Case: PG-TSDSON-8, Mounting: SMD, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: OptiMOS™ 5, Polarisation: unipolar, Gate charge: 13.7nC, On-state resistance: 9.9mΩ, Drain current: 40A, Gate-source voltage: ±20V, Power dissipation: 34W, Drain-source voltage: 40V, Application: automotive industry, Kind of channel: enhancement.
Інші пропозиції IPZ40N04S5-8R4
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
IPZ40N04S5-8R4 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 34W; PG-TSDSON-8 Case: PG-TSDSON-8 Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Gate charge: 13.7nC On-state resistance: 9.9mΩ Drain current: 40A Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 34W Drain-source voltage: 40V Application: automotive industry Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |

