IPZ40N04S5L-4R8 Infineon Technologies
на замовлення 4979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 166+ | 73.65 грн |
| 173+ | 70.36 грн |
| 250+ | 67.54 грн |
| 500+ | 62.78 грн |
| 1000+ | 56.23 грн |
| 2500+ | 52.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPZ40N04S5L-4R8 Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8, Case: PG-TSDSON-8, Mounting: SMD, Drain-source voltage: 40V, Drain current: 40A, On-state resistance: 6.7mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Application: automotive industry, Power dissipation: 48W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 29nC, Technology: OptiMOS™ 5, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±16V, кількість в упаковці: 5000 шт.
Інші пропозиції IPZ40N04S5L-4R8
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IPZ40N04S5L-4R8 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8 Case: PG-TSDSON-8 Mounting: SMD Drain-source voltage: 40V Drain current: 40A On-state resistance: 6.7mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 48W Polarisation: unipolar Gate charge: 29nC Technology: OptiMOS™ 5 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±16V кількість в упаковці: 5000 шт |
товару немає в наявності |
|
|
|
IPZ40N04S5L-4R8 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8 Case: PG-TSDSON-8 Mounting: SMD Drain-source voltage: 40V Drain current: 40A On-state resistance: 6.7mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 48W Polarisation: unipolar Gate charge: 29nC Technology: OptiMOS™ 5 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±16V |
товару немає в наявності |