IPZ40N04S5L-4R8

IPZ40N04S5L-4R8 Infineon Technologies


226681850694751infineon-ipz40n04s5-8r4.pdffileid5546d4624cb7f111014d66012a70489c.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4979 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
166+76.50 грн
173+73.08 грн
250+70.15 грн
500+65.20 грн
1000+58.40 грн
2500+54.41 грн
Мінімальне замовлення: 166
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPZ40N04S5L-4R8 Infineon Technologies

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 40V, Drain current: 40A, Power dissipation: 48W, Case: PG-TSDSON-8, Gate-source voltage: ±16V, On-state resistance: 6.7mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 29nC, Kind of channel: enhancement, Technology: OptiMOS™ 5, Application: automotive industry.

Інші пропозиції IPZ40N04S5L-4R8

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPZ40N04S5L-4R8 IPZ40N04S5L-4R8 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPZ40N04S5L-4R8.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 48W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 6.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.