IPZ40N04S5L-4R8 Infineon Technologies
на замовлення 4979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 166+ | 75.08 грн |
| 173+ | 71.72 грн |
| 250+ | 68.84 грн |
| 500+ | 63.99 грн |
| 1000+ | 57.31 грн |
| 2500+ | 53.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPZ40N04S5L-4R8 Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8, Case: PG-TSDSON-8, Mounting: SMD, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: OptiMOS™ 5, Polarisation: unipolar, Gate charge: 29nC, On-state resistance: 6.7mΩ, Drain current: 40A, Gate-source voltage: ±16V, Power dissipation: 48W, Drain-source voltage: 40V, Application: automotive industry, Kind of channel: enhancement.
Інші пропозиції IPZ40N04S5L-4R8
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IPZ40N04S5L-4R8 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8 Case: PG-TSDSON-8 Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Gate charge: 29nC On-state resistance: 6.7mΩ Drain current: 40A Gate-source voltage: ±16V Power dissipation: 48W Drain-source voltage: 40V Application: automotive industry Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |