IRF520PBF
Код товару: 216814
Виробник: IRКорпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 9,2 A
Rds(on), Ohm: 0,27 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 360/16
Монтаж: THT
у наявності 100 шт:
70 шт - склад
30 шт - РАДІОМАГ-Київ
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 29.00 грн |
| 10+ | 26.20 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF520PBF IR
- MOSFET, N, 100V, 9.2A, TO-220
- Transistor Type:MOSFET
- Max Current Id:9.2A
- Max Voltage Vds:100V
- On State Resistance:0.27ohm
- Rds Measurement Voltage:10V
- Max Voltage Vgs:20V
- Power Dissipation:60W
- Operating Temperature Range:-55`C to +175`C
- Transistor Case Style:TO-220AB
- Case Style:TO-220AB
- Cont Current Id:9.2A
- Junction to Case Thermal Resistance A:2.5`C/W
- Power Dissipation Pd:60W
- Pulse Current Idm:37A
- Termination Type:Through Hole
- Transistor Polarity:N
- Typ Voltage Vds:100V
- Typ Voltage Vgs th:4V
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Аналог IRF520PBF IR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRF520PBF (TO-220AB, Siliconix) Код товару: 156292
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : Siliconix |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Uds,V: 100 V Idd,A: 9,2 A Rds(on), Ohm: 0,27 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 360/16 Монтаж: THT |
у наявності: 4 шт
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро очікується:
3 шт
3 шт - очікується
|
|
Інші пропозиції IRF520PBF за ціною від 13.50 грн до 129.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRF520PBF (TO-220AB, Vishay) Код товару: 23704
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : Vishay |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Uds,V: 100 V Idd,A: 9,2 A Rds(on), Ohm: 0,27 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 360/16 Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||||||||
|
|
IRF520PBF (TO-220AB, Siliconix) Код товару: 156292
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : Siliconix |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Uds,V: 100 V Idd,A: 9,2 A Rds(on), Ohm: 0,27 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 360/16 Монтаж: THT |
у наявності: 4 шт
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро очікується:
3 шт
3 шт - очікується
|
|
||||||||||||||||
 |
IRF520PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 1027 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF520PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.5A; 60W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 6.5A Power dissipation: 60W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.27Ω Mounting: THT Gate charge: 16nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1027 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF520PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 203 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF520PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.5A; 60W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 6.5A Power dissipation: 60W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.27Ω Mounting: THT Gate charge: 16nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1027 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF520PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 2904 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF520PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 2915 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF520PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 9.2A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V |
на замовлення 3989 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF520PBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 100V 9.2A N-CH MOSFET |
на замовлення 10871 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF520PBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRF520PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.2 A, 0.27 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 1479 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF520PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 203 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| IRF520PBF | Виробник : Vishay Europe Sales GmbH |
Транзистор N-MOSFET, полевой, 10V, 6,5A, 60W, TO220AB |
на замовлення 110 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
IRF520PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |