IRF9530SPBF Siliconix
Код товару: 35683
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: Siliconix
Корпус: D2Pak
Напруга сток-витік Uds, V: 100 V
Струм стоку Id, A: 12 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / Заряд затвора Qg, nC: 860/38
Монтаж: SMD
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF9530SPBF Siliconix
- MOSFET, P, 100V, D2-PAK
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:P
- Typ Voltage Vds:100V
- Cont Current Id:12A
- On State Resistance:0.3ohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
- Typ Voltage Vgs th:4V
- Case Style:D2-PAK
- Termination Type:SMD
- Alternate Case Style:TO-262AB
- Max Voltage Vds:100V
- Max Voltage Vgs th:4V
- Min Voltage Vgs th:2V
- Power Dissipation Pd:88W
- Pulse Current Idm:48A
- Voltage Vds:100V
- Transistor Case Style:D2-PAK
Можливі заміни IRF9530SPBF Siliconix
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF9530SPBF Код товару: 192850
Додати до обраних
Обраний товар
|
VBsemi |
Транзистори > Польові P-канальніКорпус: D2Pak Напруга сток-витік Uds, V: 100 V Струм стоку Id, A: 12 A Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,24 Ohm Вхідна ємність Ciss, pF / Заряд затвора Qg, nC: 2765/67 Монтаж: SMD |
у наявності: 77 шт
|
|
| IRF9530SPBF Код товару: 192850
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: VBsemi
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D2Pak
Напруга сток-витік Uds, V: 100 V
Струм стоку Id, A: 12 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,24 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / Заряд затвора Qg, nC: 2765/67
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D2Pak
Напруга сток-витік Uds, V: 100 V
Струм стоку Id, A: 12 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,24 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / Заряд затвора Qg, nC: 2765/67
Монтаж: SMD
у наявності: 77 шт
- 64 шт - склад
- 3 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 5 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 40.00 грн |
| 10+ | 36.00 грн |
Інші пропозиції IRF9530SPBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
IRF9530SPBF | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
IRF9530SPBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRF9530SPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 88W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRF9530SPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF9530SPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF9530SPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: VISHAY - IRF9530SPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





