IRF9530SPBF Siliconix
Код товару: 35683
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: Siliconix
Корпус: D2Pak
Uds,V: 100 V
Id,A: 12 А
Rds(on),Om: 0,3 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 860/38
Монтаж: SMD
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF9530SPBF Siliconix
- MOSFET, P, 100V, D2-PAK
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:P
- Typ Voltage Vds:100V
- Cont Current Id:12A
- On State Resistance:0.3ohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
- Typ Voltage Vgs th:4V
- Case Style:D2-PAK
- Termination Type:SMD
- Alternate Case Style:TO-262AB
- Max Voltage Vds:100V
- Max Voltage Vgs th:4V
- Min Voltage Vgs th:2V
- Power Dissipation Pd:88W
- Pulse Current Idm:48A
- Voltage Vds:100V
- Transistor Case Style:D2-PAK
Можливі заміни IRF9530SPBF Siliconix
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRF9530SPBF Код товару: 192850
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : VBsemi |
Транзистори > Польові P-канальні Корпус: D2Pak Uds,V: 100 V Id,A: 12 А Ciss, pF/Qg, nC: 2765/67 Монтаж: SMD |
у наявності: 83 шт
70 шт - склад
3 шт - РАДІОМАГ-Київ 5 шт - РАДІОМАГ-Львів 5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
Інші пропозиції IRF9530SPBF за ціною від 277.99 грн до 277.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF9530SPBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRF9530SPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 88W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
IRF9530SPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||
|
|
IRF9530SPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||
 |
IRF9530SPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.2A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||
 |
IRF9530SPBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO263 100V 12A P-CH MOSFET |
товару немає в наявності |
|||||
 |
IRF9530SPBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -8.2A Pulsed drain current: -48A Power dissipation: 88W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.3Ω Mounting: SMD Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |