IRFD120PBF (DIP4-300, IR)
Код товару: 28377
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: HEXDIP (DIP4-300)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 1,3 A
Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 450/11
Монтаж: THT
Відгуки про товар
Написати відгук
Аналог IRFD120PBF (DIP4-300, IR) IR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFD120PBF (DIP4-300, Siliconix) Код товару: 156294
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : Vishay |
 Транзистори > Польові N-канальніКорпус: HVMDIP Uds,V: 100 V Idd,A: 1,3 A Rds(on), Ohm: 0,27 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 360/16 Монтаж: THT |
у наявності: 54 шт
51 шт - склад
1 шт - РАДІОМАГ-Львів 1 шт - РАДІОМАГ-Харків 1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
Інші пропозиції IRFD120PBF (DIP4-300, IR) за ціною від 22.10 грн до 99.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRFD120PBF (DIP4-300, Vishay) Код товару: 148947
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : Vishay |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: HVMDIP-4 Uds,V: 100 V Idd,A: 1,3 A Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 450/11 Монтаж: THT |
у наявності: 2 шт
2 шт - РАДІОМАГ-Харків
|
|
||||||||
 |
IRFD120PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP |
на замовлення 393 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IRFD120PBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFD120PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.3 A, 0.27 ohm, DIP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: DIP Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
IRFD120PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP Packaging: Bulk Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 780mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 4-HVMDIP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
IRFD120PBF | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs HVMDIP 100V 1.3A N-CH MOSFET |
товару немає в наявності |