Результат пошуку "irfd224pbf." : 3
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 139
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 6
В кошику
од. на суму грн.
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRFD224PBF | Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 250V 0.63A 4-Pin HVMDIP |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRFD224PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 250V 0.63A 4-Pin HVMDIP |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| IRFD224PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 630mA; Idm: 5A; 1W; HVMDIP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 0.63A Pulsed drain current: 5A Power dissipation: 1W Case: HVMDIP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.1Ω Mounting: THT Gate charge: 14nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IRFD224PBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 0.63A 4-Pin HVMDIP
Trans MOSFET N-CH 250V 0.63A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 139+ | 88.18 грн |
| 194+ | 63.00 грн |
| 500+ | 51.37 грн |
| 1000+ | 45.18 грн |
| IRFD224PBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 0.63A 4-Pin HVMDIP
Trans MOSFET N-CH 250V 0.63A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 114.32 грн |
| 10+ | 81.88 грн |
| 100+ | 58.50 грн |
| 500+ | 46.00 грн |
| 1000+ | 38.84 грн |
| IRFD224PBF |
|
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 630mA; Idm: 5A; 1W; HVMDIP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 0.63A
Pulsed drain current: 5A
Power dissipation: 1W
Case: HVMDIP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 630mA; Idm: 5A; 1W; HVMDIP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 0.63A
Pulsed drain current: 5A
Power dissipation: 1W
Case: HVMDIP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.