Продукція > VISHAY > IRFD9010PBF.
IRFD9010PBF.

IRFD9010PBF. VISHAY

VISH-S-A0014899810-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFD9010PBF. - P CHANNEL MOSFET, -50V, 1.1A, HD-1
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: HVMDIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+134.52 грн
10+93.26 грн
25+87.48 грн
50+76.10 грн
100+65.29 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFD9010PBF. VISHAY

Description: VISHAY - IRFD9010PBF. - P CHANNEL MOSFET, -50V, 1.1A, HD-1, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Through Hole, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - Unlimited, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: HVMDIP, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: P Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm, directShipCharge: 25.