IRFH8330TR2PBF Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 14A 5X6 PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 56A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFH8330TR2PBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 14A 5X6 PQFN, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Supplier Device Package: PQFN (5x6), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 20A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 56A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerTDFN, Packaging: Cut Tape (CT).
Інші пропозиції IRFH8330TR2PBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
IRFH8330TR2PBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 30V 25A 6.6mOhm 9.6nC Qg |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IRFH8330TR2PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 30V 25A 6.6mOhm 9.6nC Qg
MOSFETs MOSFT 30V 25A 6.6mOhm 9.6nC Qg
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.



