Результат пошуку "irfr3607tr" : 20
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 100
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 500
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 389
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 7
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 202
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 168
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 500
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 8
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 140
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 25
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 6
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFR3607TRPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFR3607TRPBF | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00734ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 12311 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFR3607TRPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFR3607TRPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFR3607TRPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4909 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFR3607TRPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFR3607TRPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4909 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFR3607TRPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFR3607TRPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFR3607TRPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 6863 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFR3607TRPBF | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00734ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 12311 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFR3607TRPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3618 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
IRFR3607TRPBF | International Rectifier |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFR3607TRPBF-ML | MOSLEADER |
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 9mOhm; 60A; 56W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR3607PBF; IRFR3607TRPBF; SP001571628; SP001567010; IRFR3607TRPBF-ML MOSLEADER TIRFR3607 MOS кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
Транзистор польовий IRFR3607TRPBF 56A 75V N-ch DPAK |
на замовлення 6 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
Транзистор польовий IRFR3607TRPBF 56A 75V N-ch DPAK |
на замовлення 6 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
![]() |
IRFR3607TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 140W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 80A Power dissipation: 140W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
![]() |
IRFR3607TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 140W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 80A Power dissipation: 140W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 2000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
![]() |
IRFR3607TRPBF | Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
IRFR3607TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2000+ | 35.50 грн |
IRFR3607TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR3607TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 56 A, 0.00734 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00734ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRFR3607TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 56 A, 0.00734 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00734ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 12311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 67.51 грн |
250+ | 58.18 грн |
1000+ | 48.66 грн |
3000+ | 40.39 грн |
IRFR3607TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
500+ | 40.30 грн |
IRFR3607TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
389+ | 78.60 грн |
500+ | 70.73 грн |
1000+ | 65.23 грн |
10000+ | 56.08 грн |
IRFR3607TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 88.42 грн |
10+ | 67.52 грн |
25+ | 58.68 грн |
100+ | 48.65 грн |
250+ | 44.60 грн |
500+ | 42.29 грн |
1000+ | 38.17 грн |
3000+ | 34.05 грн |
IRFR3607TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
202+ | 60.60 грн |
235+ | 52.14 грн |
251+ | 48.72 грн |
1000+ | 43.45 грн |
IRFR3607TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
168+ | 72.71 грн |
194+ | 63.19 грн |
225+ | 54.34 грн |
250+ | 51.87 грн |
500+ | 47.44 грн |
1000+ | 41.11 грн |
3000+ | 36.67 грн |
IRFR3607TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2000+ | 33.13 грн |
IRFR3607TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
500+ | 37.59 грн |
IRFR3607TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 75V 80A 9.0mOhm 56nC Qg
MOSFETs MOSFT 75V 80A 9.0mOhm 56nC Qg
на замовлення 6863 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 106.43 грн |
10+ | 77.58 грн |
100+ | 51.64 грн |
500+ | 50.10 грн |
1000+ | 47.97 грн |
2000+ | 41.42 грн |
IRFR3607TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR3607TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 56 A, 0.00734 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00734ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRFR3607TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 56 A, 0.00734 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00734ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 12311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 104.81 грн |
50+ | 67.51 грн |
250+ | 58.18 грн |
1000+ | 48.66 грн |
3000+ | 40.39 грн |
IRFR3607TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
140+ | 87.18 грн |
147+ | 83.28 грн |
250+ | 79.94 грн |
500+ | 74.30 грн |
1000+ | 66.55 грн |
2500+ | 62.00 грн |
IRFR3607TRPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-MOSFET; 75V; 20V; 9mOhm; 80A; 140W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRFR3607TRPBF; IRFR3607PBF-GURT; IRFR3607PBF; CJU60SN08/TO-252-2L; IRFR3607TRPBF-VB; IRFR3607TRPBF TIRFR3607
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-MOSFET; 75V; 20V; 9mOhm; 80A; 140W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRFR3607TRPBF; IRFR3607PBF-GURT; IRFR3607PBF; CJU60SN08/TO-252-2L; IRFR3607TRPBF-VB; IRFR3607TRPBF TIRFR3607
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 41.27 грн |
IRFR3607TRPBF-ML |
Виробник: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 9mOhm; 60A; 56W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR3607PBF; IRFR3607TRPBF; SP001571628; SP001567010; IRFR3607TRPBF-ML MOSLEADER TIRFR3607 MOS
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 9mOhm; 60A; 56W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR3607PBF; IRFR3607TRPBF; SP001571628; SP001567010; IRFR3607TRPBF-ML MOSLEADER TIRFR3607 MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
25+ | 29.96 грн |
Транзистор польовий IRFR3607TRPBF 56A 75V N-ch DPAK |
на замовлення 6 шт:
термін постачання 3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 108.32 грн |
Транзистор польовий IRFR3607TRPBF 56A 75V N-ch DPAK |
на замовлення 6 шт:
термін постачання 3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 139.00 грн |
IRFR3607TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFR3607TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFR3607TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.