IRG7PH50K10D-EPBF Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 1200V 90A TO-247AD
Power - Max: 400 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Gate Charge: 300 nC
Test Condition: 600V, 35A, 5Ohm, 15V
Switching Energy: 2.3mJ (on), 1.6mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 90ns/340ns
Supplier Device Package: TO-247AD
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 35A
Reverse Recovery Time (trr): 130 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRG7PH50K10D-EPBF Infineon Technologies
Description: IGBT 1200V 90A TO-247AD, Power - Max: 400 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Current - Collector (Ic) (Max): 90 A, Gate Charge: 300 nC, Test Condition: 600V, 35A, 5Ohm, 15V, Switching Energy: 2.3mJ (on), 1.6mJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 90ns/340ns, Supplier Device Package: TO-247AD, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 35A, Reverse Recovery Time (trr): 130 ns, Input Type: Standard, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V.
Інші пропозиції IRG7PH50K10D-EPBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRG7PH50K10D-EPBF | Infineon / IR |
IGBT Transistors 1200V UltraFast 4-20kHz Copack IGBT |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IRG7PH50K10D-EPBF |
|
Виробник: Infineon / IR
IGBT Transistors 1200V UltraFast 4-20kHz Copack IGBT
IGBT Transistors 1200V UltraFast 4-20kHz Copack IGBT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.