IRL1404ZPBF VBSemi
Код товару: 219024
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: VBSemi
Корпус: TO-220
Uds,V: 40 V
Idd,A: 160 A
Rds(on), Ohm: 0,004 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 6590/110
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRL1404ZPBF за ціною від 66.80 грн до 190.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRL1404ZPBF Код товару: 34998
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-220 Uds,V: 40 V Idd,A: 160 A Rds(on), Ohm: 0,004 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 6590/110 Примітка: Керування логічним рівнем Монтаж: THT |
у наявності: 7 шт
7 шт - РАДІОМАГ-Львів
|
|
||||
|
IRL1404ZPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 266 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
IRL1404ZPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 931 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
IRL1404ZPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 523 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
IRL1404ZPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 120A Pulsed drain current: 790A Power dissipation: 230W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 3.1mΩ Mounting: THT Gate charge: 75nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level |
на замовлення 6 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||
|
IRL1404ZPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRL1404ZPBF Код товару: 34998
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 40 V
Idd,A: 160 A
Rds(on), Ohm: 0,004 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 6590/110
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 40 V
Idd,A: 160 A
Rds(on), Ohm: 0,004 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 6590/110
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 7 шт
7 шт - РАДІОМАГ-Львів
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 72.00 грн |
| 10+ | 66.80 грн |
| IRL1404ZPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 216+ | 163.46 грн |
| IRL1404ZPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 216+ | 163.46 грн |
| 500+ | 147.00 грн |
| IRL1404ZPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 216+ | 163.46 грн |
| 500+ | 147.00 грн |
| IRL1404ZPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 790A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 790A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 190.53 грн |
| IRL1404ZPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




