Технічний опис IRLZ44STRLPBF Vishay
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 150W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 50A, Pulsed drain current: 200A, Power dissipation: 150W, Case: D2PAK; TO263, Gate-source voltage: ±10V, On-state resistance: 39mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 66nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 800 шт.
Інші пропозиції IRLZ44STRLPBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| IRLZ44STRLPBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 150W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 50A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 150W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 39mΩ Mounting: SMD Gate charge: 66nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 800 шт |
товар відсутній |
||
 |
IRLZ44STRLPBF | Виробник : Vishay / Siliconix | MOSFET |
товар відсутній |
|
| IRLZ44STRLPBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 150W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 50A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 150W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 39mΩ Mounting: SMD Gate charge: 66nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |