Технічний опис IRLZ44STRLPBF Vishay
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 150W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 50A, Power dissipation: 150W, Case: D2PAK; TO263, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement, Gate charge: 66nC, Kind of package: reel; tape, On-state resistance: 39mΩ, Gate-source voltage: ±10V, Pulsed drain current: 200A, кількість в упаковці: 800 шт.
Інші пропозиції IRLZ44STRLPBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| IRLZ44STRLPBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 150W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 50A Power dissipation: 150W Case: D2PAK; TO263 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 66nC Kind of package: reel; tape On-state resistance: 39mΩ Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: 200A кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
||
 |
IRLZ44STRLPBF | Виробник : Vishay / Siliconix | MOSFETs |
товару немає в наявності |
|
| IRLZ44STRLPBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 150W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 50A Power dissipation: 150W Case: D2PAK; TO263 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 66nC Kind of package: reel; tape On-state resistance: 39mΩ Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: 200A |
товару немає в наявності |