IS25WP02GJ-RHLE INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
Виробник: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSIDescription: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS25WP02GJ-RHLE - Flash-Speicher, AEC-Q100, Serial-NOR, 2 Gbit, 256M x 8 Bit, QPI, SPI, TFBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 2Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 1.8V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 1.95V
Schnittstellen: QPI, SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1676.53 грн |
| 10+ | 1551.46 грн |
| 25+ | 1507.77 грн |
| 50+ | 1330.07 грн |
| 100+ | 1182.23 грн |
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Технічний опис IS25WP02GJ-RHLE INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS25WP02GJ-RHLE - Flash-Speicher, AEC-Q100, Serial-NOR, 2 Gbit, 256M x 8 Bit, QPI, SPI, TFBGA, 24 Pin(s), tariffCode: 85423275, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, Flash-Speicher: Serial-NOR, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA, Speicherdichte: 2Gbit, usEccn: 3A991.b.1.a, Zugriffszeit: -, Versorgungsspannung, nom.: 1.8V, Taktfrequenz, max.: 166MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 1.65V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 24Pin(s), Produktpalette: 1.8V Serial NOR Flash Memories, productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 1.95V, Schnittstellen: QPI, SPI, Betriebstemperatur, max.: 105°C, Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).