Продукція > ISSI > IS43DR86400E-3DBL
IS43DR86400E-3DBL

IS43DR86400E-3DBL ISSI

43_46DR86400E_16320E.pdf
Виробник: ISSI
DRAM 512M 64Mx8 333MHz DDR2 1.8V
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IS43DR86400E-3DBL ISSI

Category: DRAM memories - integrated circuits, Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 16Mx8bitx4; 333MHz; 15ns; TWBGA60, Kind of memory: DDR2; SDRAM, Mounting: SMD, Supply voltage: 1.7...1.9V DC, Access time: 15ns, Type of integrated circuit: DRAM memory, Operating temperature: 0...85°C, Clock frequency: 333MHz, Memory: 512Mb DRAM, Kind of interface: parallel, Memory organisation: 16Mx8bitx4, Kind of package: in-tray; tube, Case: TWBGA60.

Інші пропозиції IS43DR86400E-3DBL

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IS43DR86400E-3DBL ISSI IS43DR16320E-25DBL.pdf Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 16Mx8bitx4; 333MHz; 15ns; TWBGA60
Kind of memory: DDR2; SDRAM
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.7...1.9V DC
Access time: 15ns
Type of integrated circuit: DRAM memory
Operating temperature: 0...85°C
Clock frequency: 333MHz
Memory: 512Mb DRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 16Mx8bitx4
Kind of package: in-tray; tube
Case: TWBGA60
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 242 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43DR86400E-3DBL IS43DR16320E-25DBL.pdf
Виробник: ISSI
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 16Mx8bitx4; 333MHz; 15ns; TWBGA60
Kind of memory: DDR2; SDRAM
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.7...1.9V DC
Access time: 15ns
Type of integrated circuit: DRAM memory
Operating temperature: 0...85°C
Clock frequency: 333MHz
Memory: 512Mb DRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 16Mx8bitx4
Kind of package: in-tray; tube
Case: TWBGA60
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 242 шт
В кошику  од. на суму  грн.