IS43DR86400E-3DBLI-TR ISSI

Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 16Mx8bitx4; 333MHz; 15ns; TWBGA60
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Case: TWBGA60
Access time: 15ns
Supply voltage: 1.7...1.9V DC
Clock frequency: 333MHz
Memory organisation: 16Mx8bitx4
Memory: 512Mb DRAM
Kind of memory: DDR2; SDRAM
Type of integrated circuit: DRAM memory
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IS43DR86400E-3DBLI-TR ISSI
Category: DRAM memories - integrated circuits, Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 16Mx8bitx4; 333MHz; 15ns; TWBGA60, Operating temperature: -40...85°C, Kind of package: reel; tape, Kind of interface: parallel, Mounting: SMD, Case: TWBGA60, Access time: 15ns, Supply voltage: 1.7...1.9V DC, Clock frequency: 333MHz, Memory organisation: 16Mx8bitx4, Memory: 512Mb DRAM, Kind of memory: DDR2; SDRAM, Type of integrated circuit: DRAM memory, кількість в упаковці: 2000 шт.
Інші пропозиції IS43DR86400E-3DBLI-TR
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
IS43DR86400E-3DBLI-TR | Виробник : ISSI |
![]() |
товару немає в наявності |
|
IS43DR86400E-3DBLI-TR | Виробник : ISSI |
![]() Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 16Mx8bitx4; 333MHz; 15ns; TWBGA60 Operating temperature: -40...85°C Kind of package: reel; tape Kind of interface: parallel Mounting: SMD Case: TWBGA60 Access time: 15ns Supply voltage: 1.7...1.9V DC Clock frequency: 333MHz Memory organisation: 16Mx8bitx4 Memory: 512Mb DRAM Kind of memory: DDR2; SDRAM Type of integrated circuit: DRAM memory |
товару немає в наявності |