Продукція > ISSI > IS43DR86400E-3DBLI-TR

IS43DR86400E-3DBLI-TR ISSI

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE97A48ABB40A3E0D5&compId=IS43DR16320E-25DBL.pdf?ci_sign=c1ea8095a7989d351e553ccb60e5d69bf0ccb66b

Виробник: ISSI
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 16Mx8bitx4; 333MHz; 15ns; TWBGA60
Operating temperature: -40...85°C
Kind of memory: DDR2; SDRAM
Memory organisation: 16Mx8bitx4
Access time: 15ns
Clock frequency: 333MHz
Kind of package: reel; tape
Kind of interface: parallel
Memory: 512Mb DRAM
Mounting: SMD
Case: TWBGA60
Supply voltage: 1.7...1.9V DC
Type of integrated circuit: DRAM memory
кількість в упаковці: 2000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IS43DR86400E-3DBLI-TR ISSI

Category: DRAM memories - integrated circuits, Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 16Mx8bitx4; 333MHz; 15ns; TWBGA60, Operating temperature: -40...85°C, Kind of memory: DDR2; SDRAM, Memory organisation: 16Mx8bitx4, Access time: 15ns, Clock frequency: 333MHz, Kind of package: reel; tape, Kind of interface: parallel, Memory: 512Mb DRAM, Mounting: SMD, Case: TWBGA60, Supply voltage: 1.7...1.9V DC, Type of integrated circuit: DRAM memory, кількість в упаковці: 2000 шт.

Інші пропозиції IS43DR86400E-3DBLI-TR

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
	IS43DR86400E-3DBLI-TR	Виробник : ISSI	DRAM 512M 64Mx8 333MHz DDR2 1.8V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
	IS43DR86400E-3DBLI-TR	Виробник : ISSI	Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 16Mx8bitx4; 333MHz; 15ns; TWBGA60 Operating temperature: -40...85°C Kind of memory: DDR2; SDRAM Memory organisation: 16Mx8bitx4 Access time: 15ns Clock frequency: 333MHz Kind of package: reel; tape Kind of interface: parallel Memory: 512Mb DRAM Mounting: SMD Case: TWBGA60 Supply voltage: 1.7...1.9V DC Type of integrated circuit: DRAM memory	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.