IS43LQ16256B-062BLI INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
Виробник: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS43LQ16256B-062BLI - DRAM, Mobile LPDDR4, 4 Gbit, 256M x 16 Bit, 1.6 GHz, FBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 4Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 1.6GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 256M x 16 Bit
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IS43LQ16256B-062BLI INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS43LQ16256B-062BLI - DRAM, Mobile LPDDR4, 4 Gbit, 256M x 16 Bit, 1.6 GHz, FBGA, 200 Pin(s), tariffCode: 85423239, DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 4Gbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Versorgungsspannung, nom.: 1.8V, Taktfrequenz, max.: 1.6GHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, SVHC: No SVHC (16-Jul-2019), Anzahl der Pins: 200Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 95°C, Speicherkonfiguration: 256M x 16 Bit.
Інші пропозиції IS43LQ16256B-062BLI
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| IS43LQ16256B-062BLI | ISSI |
DRAM 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IS43LQ16256B-062BLI |
|
Виробник: ISSI
DRAM 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
DRAM 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)