Продукція > ISSI > IS61WV2568EDBLL-10BLI
IS61WV2568EDBLL-10BLI

IS61WV2568EDBLL-10BLI ISSI

61_64WV2568EDBLL-258485.pdf
Виробник: ISSI
SRAM 2Mb,High-Speed,Async with ECC,256K x 8,10ns,2.4V-3.6V, 36 Ball mBGA (6x8mm), RoHS
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 480 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IS61WV2568EDBLL-10BLI ISSI

Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 256kx8bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TFBGA36, Type of integrated circuit: SRAM memory, Kind of memory: SRAM, Memory: 2Mb SRAM, Memory organisation: 256kx8bit, Operating voltage: 2.4...3.6V, Case: TFBGA36, Mounting: SMD, Operating temperature: -40...85°C, Kind of interface: parallel, Kind of package: in-tray; tube, Access time: 10ns.

Інші пропозиції IS61WV2568EDBLL-10BLI

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IS61WV2568EDBLL-10BLI ISSI IS61WV2568EDBLL-10BLI.pdf Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 256kx8bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TFBGA36
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 2Mb SRAM
Memory organisation: 256kx8bit
Operating voltage: 2.4...3.6V
Case: TFBGA36
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of interface: parallel
Kind of package: in-tray; tube
Access time: 10ns
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 480 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV2568EDBLL-10BLI IS61WV2568EDBLL-10BLI.pdf
Виробник: ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 256kx8bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TFBGA36
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 2Mb SRAM
Memory organisation: 256kx8bit
Operating voltage: 2.4...3.6V
Case: TFBGA36
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of interface: parallel
Kind of package: in-tray; tube
Access time: 10ns
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 480 шт
В кошику  од. на суму  грн.