IS61WV2568EDBLL-10BLI ISSI
Виробник: ISSISRAM 2Mb,High-Speed,Async with ECC,256K x 8,10ns,2.4V-3.6V, 36 Ball mBGA (6x8mm), RoHS
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IS61WV2568EDBLL-10BLI ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 256kx8bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TFBGA36, Type of integrated circuit: SRAM memory, Kind of memory: SRAM, Memory: 2Mb SRAM, Memory organisation: 256kx8bit, Operating voltage: 2.4...3.6V, Case: TFBGA36, Mounting: SMD, Operating temperature: -40...85°C, Kind of interface: parallel, Kind of package: in-tray; tube, Access time: 10ns.
Інші пропозиції IS61WV2568EDBLL-10BLI
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| IS61WV2568EDBLL-10BLI | Виробник : ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 256kx8bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TFBGA36 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 2Mb SRAM Memory organisation: 256kx8bit Operating voltage: 2.4...3.6V Case: TFBGA36 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of interface: parallel Kind of package: in-tray; tube Access time: 10ns |
товару немає в наявності |