Технічний опис IS62WV2568EBLL-45BLI ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 256kx8bit; 2.2÷3.6V; 45ns; TFBGA36, Type of integrated circuit: SRAM memory, Kind of memory: SRAM, Memory: 2Mb SRAM, Memory organisation: 256kx8bit, Case: TFBGA36, Mounting: SMD, Operating temperature: -40...85°C, Kind of interface: parallel, Operating voltage: 2.2...3.6V, Kind of package: in-tray; tube, Access time: 45ns, кількість в упаковці: 480 шт.
Інші пропозиції IS62WV2568EBLL-45BLI
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| IS62WV2568EBLL-45BLI | Виробник : ISSI |
 Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 256kx8bit; 2.2÷3.6V; 45ns; TFBGA36 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 2Mb SRAM Memory organisation: 256kx8bit Case: TFBGA36 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of interface: parallel Operating voltage: 2.2...3.6V Kind of package: in-tray; tube Access time: 45ns кількість в упаковці: 480 шт |
товар відсутній |
||
 |
IS62WV2568EBLL-45BLI | Виробник : ISSI |
SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 8,45ns,2.2v~3.6v,36 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS |
товар відсутній |
|
| IS62WV2568EBLL-45BLI | Виробник : ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 256kx8bit; 2.2÷3.6V; 45ns; TFBGA36 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 2Mb SRAM Memory organisation: 256kx8bit Case: TFBGA36 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of interface: parallel Operating voltage: 2.2...3.6V Kind of package: in-tray; tube Access time: 45ns |
товар відсутній |