ISL89164FBEAZ Renesas Electronics America Inc
на замовлення 2635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 385.69 грн |
| 10+ | 333.87 грн |
| 25+ | 315.70 грн |
| 100+ | 256.76 грн |
| 250+ | 243.59 грн |
| 500+ | 218.57 грн |
| 1000+ | 204.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ISL89164FBEAZ Renesas Electronics America Inc
Category: MOSFET/IGBT drivers, Description: IC: driver; high-/low-side,MOSFET gate driver; SO8-EP; -6÷6A, Kind of package: tube, Type of integrated circuit: driver, Mounting: SMD, Kind of integrated circuit: high-/low-side; MOSFET gate driver, Kind of output: non-inverting, Case: SO8-EP, Protection: undervoltage UVP, Operating temperature: -40...125°C, Output current: -6...6A, Pulse fall time: 40ns, Impulse rise time: 40ns, Number of channels: 2, Supply voltage: 4.5...16V DC.
Інші пропозиції ISL89164FBEAZ за ціною від 166.85 грн до 391.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ISL89164FBEAZ | Виробник : Renesas / Intersil |
 Gate Drivers 6A PEAK HI SPD PWR MSFT DRVR 8LD EP |
на замовлення 567 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| ISL89164FBEAZ | Виробник : RENESAS |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; high-/low-side,MOSFET gate driver; SO8-EP; -6÷6A Kind of package: tube Type of integrated circuit: driver Mounting: SMD Kind of integrated circuit: high-/low-side; MOSFET gate driver Kind of output: non-inverting Case: SO8-EP Protection: undervoltage UVP Operating temperature: -40...125°C Output current: -6...6A Pulse fall time: 40ns Impulse rise time: 40ns Number of channels: 2 Supply voltage: 4.5...16V DC |
товару немає в наявності |