Продукція > INVENTCHIP > IV1D12005O2
IV1D12005O2

IV1D12005O2 Inventchip

1599706780871299.pdf
Виробник: Inventchip
Description: DIODE SIL CARB 1200V 17A TO220
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220-2
Current - Average Rectified (Io): 17A
Capacitance @ Vr, F: 320pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+173.97 грн
50+82.30 грн
100+73.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IV1D12005O2 Inventchip

Description: DIODE SIL CARB 1200V 17A TO220, Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Supplier Device Package: TO-220-2, Current - Average Rectified (Io): 17A, Capacitance @ Vr, F: 320pF @ 1V, 1MHz, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-2, Packaging: Tube.