IXA40RG1200DHGLB IXYS
Виробник: IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; SMT
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 43A
Case: SMPD-B
Electrical mounting: SMT
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 105A
Power dissipation: 215W
Technology: ISOPLUS™; Sonic FRD™
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 832.06 грн |
| 2+ | 559.82 грн |
| 4+ | 529.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXA40RG1200DHGLB IXYS
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; SMT, Type of module: IGBT, Semiconductor structure: diode/transistor, Topology: boost chopper, Max. off-state voltage: 1.2kV, Collector current: 43A, Case: SMPD-B, Electrical mounting: SMT, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 105A, Power dissipation: 215W, Technology: ISOPLUS™; Sonic FRD™, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IXA40RG1200DHGLB за ціною від 635.07 грн до 998.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IXA40RG1200DHGLB | Виробник : IXYS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; SMT Type of module: IGBT Semiconductor structure: diode/transistor Topology: boost chopper Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 43A Case: SMPD-B Electrical mounting: SMT Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 105A Power dissipation: 215W Technology: ISOPLUS™; Sonic FRD™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 22 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||
| IXA40RG1200DHGLB | Виробник : IXYS |
IGBT Transistors XPT IGBT Phaseleg |
товар відсутній |