IXBT42N170A IXYS
Виробник: IXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 21A; 357W; TO268
Type of transistor: IGBT
Technology: BiMOSFET™
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 21A
Power dissipation: 357W
Case: TO268
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 265A
Mounting: SMD
Gate charge: 188nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 308ns
Features of semiconductor devices: high voltage
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXBT42N170A IXYS
Category: SMD IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 21A; 357W; TO268, Type of transistor: IGBT, Technology: BiMOSFET™, Collector-emitter voltage: 1.7kV, Collector current: 21A, Power dissipation: 357W, Case: TO268, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 265A, Mounting: SMD, Gate charge: 188nC, Kind of package: tube, Turn-on time: 33ns, Turn-off time: 308ns, Features of semiconductor devices: high voltage, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IXBT42N170A
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXBT42N170A | Виробник : IXYS |
Description: IGBT 1700V 42A 357W TO268 |
товар відсутній |
|
|
|
IXBT42N170A | Виробник : IXYS |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 21A; 357W; TO268 Type of transistor: IGBT Technology: BiMOSFET™ Collector-emitter voltage: 1.7kV Collector current: 21A Power dissipation: 357W Case: TO268 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 265A Mounting: SMD Gate charge: 188nC Kind of package: tube Turn-on time: 33ns Turn-off time: 308ns Features of semiconductor devices: high voltage |
товар відсутній |