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IXFN520N075T2.

IXFN520N075T2. LITTELFUSE

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Виробник: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXFN520N075T2. - MOSFET, N-CH, 75V, 480A, SOT-227
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Module
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 480A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 940W
Bauform - Transistor: SOT-227
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Trench T2 GigaMOS HiperFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
directShipCharge: 25
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Технічний опис IXFN520N075T2. LITTELFUSE

Description: LITTELFUSE - IXFN520N075T2. - MOSFET, N-CH, 75V, 480A, SOT-227, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Module, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 480A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 940W, Bauform - Transistor: SOT-227, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: Trench T2 GigaMOS HiperFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: N Channel, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm, directShipCharge: 25.