Продукція > LITTELFUSE > IXFN520N075T2.
IXFN520N075T2.

IXFN520N075T2. LITTELFUSE

LFSI-S-A0007924054-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXFN520N075T2. - MOSFET, N-CH, 75V, 480A, SOT-227
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Module
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 480A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 940W
Bauform - Transistor: SOT-227
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Trench T2 GigaMOS HiperFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2747.54 грн
5+2389.63 грн
10+2032.53 грн
25+1774.55 грн
100+1536.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFN520N075T2. LITTELFUSE

Description: LITTELFUSE - IXFN520N075T2. - MOSFET, N-CH, 75V, 480A, SOT-227, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Module, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 480A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 940W, Bauform - Transistor: SOT-227, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: Trench T2 GigaMOS HiperFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: N Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm, directShipCharge: 25.