
IXFQ80N25X3 IXYS

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 80A; 390W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 80A
Power dissipation: 390W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 925.14 грн |
2+ | 619.20 грн |
5+ | 585.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFQ80N25X3 IXYS
Description: MOSFET N-CH 250V 80A TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 40A, 10V, Power Dissipation (Max): 390W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA, Supplier Device Package: TO-3P, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5430 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFQ80N25X3 за ціною від 702.58 грн до 1110.17 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXFQ80N25X3 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 80A; 390W; TO3P Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 80A Power dissipation: 390W Case: TO3P Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 16mΩ Mounting: THT Gate charge: 82nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
IXFQ80N25X3 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||
IXFQ80N25X3 | Виробник : IXYS |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 390W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5430 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |