Продукція > IXYS > IXFR24N100
IXFR24N100

IXFR24N100 IXYS

littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfr24n100_datasheet.pdf.pdf Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1KV 22A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 267 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 25 V
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFR24N100 IXYS

Description: MOSFET N-CH 1KV 22A ISOPLUS247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 416W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA, Supplier Device Package: ISOPLUS247™, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 267 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFR24N100

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXFR24N100 IXFR24N100 Виробник : IXYS media-3319216.pdf MOSFET 1KV 22A
товар відсутній