IXFX230N20T. LITTELFUSE
Виробник: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXFX230N20T. - MOSFET, N-CH, 200V, 230A, PLUS247
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.67kW
Bauform - Transistor: PLUS247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: GigaMOS Series
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
directShipCharge: 25
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2099.38 грн |
| 5+ | 1911.86 грн |
| 10+ | 1725.16 грн |
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Технічний опис IXFX230N20T. LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXFX230N20T. - MOSFET, N-CH, 200V, 230A, PLUS247, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Through Hole, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 230A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.67kW, Bauform - Transistor: PLUS247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: GigaMOS Series, productTraceability: No, Kanaltyp: N Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm, directShipCharge: 25.