на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 958.97 грн |
| 10+ | 833.02 грн |
| 25+ | 704.55 грн |
| 50+ | 664.92 грн |
| 100+ | 642.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXKC20N60C IXYS
Description: MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS220, Packaging: Tube, Package / Case: ISOPLUS220™, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 16A, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA, Supplier Device Package: ISOPLUS220™, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXKC20N60C
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXKC20N60C | Виробник : Littelfuse |
 Trans MOSFET N-CH Si 600V 15A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 220 |
товару немає в наявності |
|
 |
IXKC20N60C | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS220 Packaging: Tube Package / Case: ISOPLUS220™ Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 16A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA Supplier Device Package: ISOPLUS220™ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |