Продукція > LITTELFUSE > IXTA06N120P.
IXTA06N120P.

IXTA06N120P. LITTELFUSE

IXYS-S-A0008595740-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXTA06N120P. - MOSFET, N-CH, 1.2KV, 0.6A, TO-263
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 27ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+439.44 грн
10+369.33 грн
25+299.21 грн
50+213.49 грн
100+178.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTA06N120P. LITTELFUSE

Description: LITTELFUSE - IXTA06N120P. - MOSFET, N-CH, 1.2KV, 0.6A, TO-263, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Surface Mount, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 600mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 42W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Polar Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: N Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 27ohm, directShipCharge: 25.