Продукція > IXYS > IXTA1N100P-TRL

IXTA1N100P-TRL IXYS

Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 1kV; 1A; 50W; D2PAK,TO263; 750ns
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: 20V
Case: D2PAK; TO263
On-state resistance: 15Ω
Reverse recovery time: 750ns
Power dissipation: 50W
Gate charge: 15.5nC
Drain current: 1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1kV

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 800 шт

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IXTA1N100P-TRL IXYS

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; 1kV; 1A; 50W; D2PAK,TO263; 750ns, Mounting: SMD, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: 20V, Case: D2PAK; TO263, On-state resistance: 15Ω, Reverse recovery time: 750ns, Power dissipation: 50W, Gate charge: 15.5nC, Drain current: 1A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 1kV.