Продукція > LITTELFUSE > IXTA1N200P3HV.
IXTA1N200P3HV.

IXTA1N200P3HV. LITTELFUSE

LFSI-S-A0007924083-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXTA1N200P3HV. - MOSFET, N-CH, 2KV, 1A, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 40ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 8128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+824.13 грн
25+625.15 грн
100+424.55 грн
250+376.27 грн
500+330.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTA1N200P3HV. LITTELFUSE

Description: LITTELFUSE - IXTA1N200P3HV. - MOSFET, N-CH, 2KV, 1A, TO-263HV, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Surface Mount, Drain-Source-Spannung Vds: 2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-263HV, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: N Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 40ohm, directShipCharge: 25.