Продукція > LITTELFUSE > IXTA3N120-TRL.
IXTA3N120-TRL.

IXTA3N120-TRL. LITTELFUSE

3216238.pdf
Виробник: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXTA3N120-TRL. - MOSFET, N-CH, 1.2KV, 3A, TO-263AA
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+745.99 грн
10+511.19 грн
25+477.76 грн
50+413.35 грн
100+352.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTA3N120-TRL. LITTELFUSE

Description: LITTELFUSE - IXTA3N120-TRL. - MOSFET, N-CH, 1.2KV, 3A, TO-263AA, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Surface Mount, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-263AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: N Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm, directShipCharge: 25.