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IXTN170P10P.

IXTN170P10P. LITTELFUSE

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Виробник: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXTN170P10P. - MOSFET, P-CH, 100V, 170A, SOT-227
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Module
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 890W
Bauform - Transistor: SOT-227
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PolarP Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
directShipCharge: 25
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Технічний опис IXTN170P10P. LITTELFUSE

Description: LITTELFUSE - IXTN170P10P. - MOSFET, P-CH, 100V, 170A, SOT-227, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Module, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 170A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 890W, Bauform - Transistor: SOT-227, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: PolarP Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: P Channel, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm, directShipCharge: 25.