Продукція > LITTELFUSE > IXTN200N10L2.
IXTN200N10L2.

IXTN200N10L2. LITTELFUSE

LFSI-S-A0007909496-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXTN200N10L2. - MOSFET, N-CH, 100V, 178A, SOT-227
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Module
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 178A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830W
Bauform - Transistor: SOT-227
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: LinearL2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 11mohm
directShipCharge: 25
на замовлення 515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3900.37 грн
5+3423.42 грн
10+2945.66 грн
25+2680.75 грн
50+2424.22 грн
100+2373.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTN200N10L2. LITTELFUSE

Description: LITTELFUSE - IXTN200N10L2. - MOSFET, N-CH, 100V, 178A, SOT-227, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Module, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 178A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 830W, Bauform - Transistor: SOT-227, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: LinearL2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: N Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 11mohm, directShipCharge: 25.