Продукція > LITTELFUSE > IXTN600N04T2.
IXTN600N04T2.

IXTN600N04T2. LITTELFUSE

LFSI-S-A0007925123-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXTN600N04T2. - MOSFET, N-CH, 40V, 600A, SOT-227
tariffCode: 85364190
Transistormontage: Module
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 600A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 940W
Bauform - Transistor: SOT-227
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchT2 GigaMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2526.60 грн
5+2199.66 грн
10+1872.73 грн
25+1726.09 грн
50+1582.84 грн
100+1570.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTN600N04T2. LITTELFUSE

Description: LITTELFUSE - IXTN600N04T2. - MOSFET, N-CH, 40V, 600A, SOT-227, tariffCode: 85364190, Transistormontage: Module, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 600A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 940W, Bauform - Transistor: SOT-227, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TrenchT2 GigaMOS Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: N Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm, directShipCharge: 25.