Продукція > LITTELFUSE > IXTQ52P10P.
IXTQ52P10P.

IXTQ52P10P. LITTELFUSE

LFSI-S-A0007907326-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXTQ52P10P. - MOSFET, P-CH, 100V, 52A, TO-3P
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP Series
productTraceability: No
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+679.96 грн
25+535.87 грн
100+393.41 грн
250+311.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTQ52P10P. LITTELFUSE

Description: LITTELFUSE - IXTQ52P10P. - MOSFET, P-CH, 100V, 52A, TO-3P, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Through Hole, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 52A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-3P, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PolarP Series, productTraceability: No, Kanaltyp: P Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm, directShipCharge: 25.