IXTX200N10L2. LITTELFUSE
Виробник: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXTX200N10L2. - MOSFET, N-CH, 100V, 200A, PLUS247
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
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Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 1.04kW
Bauform - Transistor: PLUS247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: LinearL2 Series
productTraceability: No
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Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 11mohm
directShipCharge: 25
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Технічний опис IXTX200N10L2. LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXTX200N10L2. - MOSFET, N-CH, 100V, 200A, PLUS247, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Through Hole, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, Verlustleistung: 1.04kW, Bauform - Transistor: PLUS247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: LinearL2 Series, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: N Channel, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 11mohm, directShipCharge: 25.


