Результат пошуку "ixty01n100d tr" : 10

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
IXTY01N100D-TRL IXTY01N100D-TRL LITTELFUSE 2944666.pdf Description: LITTELFUSE - IXTY01N100D-TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 400 mA, 80 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 80ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 1734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+262.12 грн
10+ 220.18 грн
100+ 178.24 грн
500+ 146.74 грн
1000+ 121.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
IXTY01N100D-TRL IXTY01N100D-TRL LITTELFUSE 2944666.pdf Description: LITTELFUSE - IXTY01N100D-TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 400 mA, 80 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 80ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 1734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+178.24 грн
500+ 146.74 грн
1000+ 121.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
IXTY01N100D-TRL IXTY01N100D-TRL IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_depletion_mode_ixt_01n100d_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 1000V 400MA TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80Ohm @ 50mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+125.92 грн
5000+ 116.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IXTY01N100D-TRL IXTY01N100D-TRL IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_depletion_mode_ixt_01n100d_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 1000V 400MA TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80Ohm @ 50mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
на замовлення 7663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+259.26 грн
10+ 209.12 грн
100+ 169.2 грн
500+ 141.14 грн
1000+ 120.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTY01N100D-TRL IXTY01N100D-TRL IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Depletion_Mo-1623211.pdf Discrete Semiconductor Modules IXTY01N100D TRL
на замовлення 7501 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+276.5 грн
10+ 229.56 грн
25+ 188.27 грн
100+ 160.89 грн
250+ 152.22 грн
500+ 142.87 грн
1000+ 124.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTY01N100D TR IXTY01N100D TR Ixys Corporation 3679454964942095ds98812eixtu-y01n100.pdf Trans MOSFET N-CH Si 1KV 0.1A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA
товар відсутній
IXTY01N100D TRL IXTY01N100D TRL Ixys Corporation media.pdf Trans MOSFET N-CH Si 1KV 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IXTY01N100D-TRL IXTY01N100D-TRL Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH Si 1KV 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IXTY01N100D IXTY01N100D IXYS IXTP(Y)01N100D.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.1A; 25W; TO252; 2ns
Mounting: SMD
Power dissipation: 25W
Gate charge: 0.1µC
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.1A
Kind of channel: depleted
Drain-source voltage: 1kV
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO252
On-state resistance: 80Ω
Reverse recovery time: 2ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTY01N100D-TRL 2944666.pdf
IXTY01N100D-TRL
Виробник: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXTY01N100D-TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 400 mA, 80 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 80ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 1734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+262.12 грн
10+ 220.18 грн
100+ 178.24 грн
500+ 146.74 грн
1000+ 121.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
IXTY01N100D-TRL 2944666.pdf
IXTY01N100D-TRL
Виробник: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXTY01N100D-TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 400 mA, 80 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 80ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 1734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+178.24 грн
500+ 146.74 грн
1000+ 121.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
IXTY01N100D-TRL littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_depletion_mode_ixt_01n100d_datasheet.pdf.pdf
IXTY01N100D-TRL
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 400MA TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80Ohm @ 50mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+125.92 грн
5000+ 116.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IXTY01N100D-TRL littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_depletion_mode_ixt_01n100d_datasheet.pdf.pdf
IXTY01N100D-TRL
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 400MA TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80Ohm @ 50mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
на замовлення 7663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+259.26 грн
10+ 209.12 грн
100+ 169.2 грн
500+ 141.14 грн
1000+ 120.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTY01N100D-TRL Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Depletion_Mo-1623211.pdf
IXTY01N100D-TRL
Виробник: IXYS
Discrete Semiconductor Modules IXTY01N100D TRL
на замовлення 7501 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+276.5 грн
10+ 229.56 грн
25+ 188.27 грн
100+ 160.89 грн
250+ 152.22 грн
500+ 142.87 грн
1000+ 124.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTY01N100D TR 3679454964942095ds98812eixtu-y01n100.pdf
IXTY01N100D TR
Виробник: Ixys Corporation
Trans MOSFET N-CH Si 1KV 0.1A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA
товар відсутній
IXTY01N100D TRL media.pdf
IXTY01N100D TRL
Виробник: Ixys Corporation
Trans MOSFET N-CH Si 1KV 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IXTY01N100D-TRL media.pdf
IXTY01N100D-TRL
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH Si 1KV 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IXTY01N100D IXTP(Y)01N100D.pdf
IXTY01N100D
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.1A; 25W; TO252; 2ns
Mounting: SMD
Power dissipation: 25W
Gate charge: 0.1µC
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.1A
Kind of channel: depleted
Drain-source voltage: 1kV
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO252
On-state resistance: 80Ω
Reverse recovery time: 2ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній