Результат пошуку "ixty08n100d2." : 6
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 38
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXTY08N100D2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 60W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 0.8A Power dissipation: 60W Case: TO252 On-state resistance: 21Ω Mounting: SMD Gate charge: 325nC Kind of package: tube Kind of channel: depletion |
на замовлення 210 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
IXTY08N100D2 | Ixys Corporation |
![]() |
на замовлення 210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
IXTY08N100D2 | LITTELFUSE |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 800mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: - Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 21ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
IXTY08N100D2 | Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
![]() |
IXTY08N100D2 TRL | Ixys Corporation |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
![]() |
IXTY08N100D2-TRL | Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
IXTY08N100D2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 60W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO252
On-state resistance: 21Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 325nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 60W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO252
On-state resistance: 21Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 325nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 247.21 грн |
5+ | 206.68 грн |
6+ | 164.73 грн |
15+ | 155.58 грн |
IXTY08N100D2 |
![]() |
Виробник: Ixys Corporation
Trans MOSFET N-CH 1KV 0.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Trans MOSFET N-CH 1KV 0.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
38+ | 321.85 грн |
43+ | 286.72 грн |
70+ | 257.25 грн |
IXTY08N100D2 |
![]() |
Виробник: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXTY08N100D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 800 mA, 21 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 21ohm
SVHC: To Be Advised
Description: LITTELFUSE - IXTY08N100D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 800 mA, 21 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 21ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 302.24 грн |
10+ | 149.48 грн |
100+ | 148.66 грн |
500+ | 136.51 грн |
IXTY08N100D2 |
![]() |
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 1KV 0.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Trans MOSFET N-CH 1KV 0.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTY08N100D2 TRL |
![]() |
Виробник: Ixys Corporation
Trans MOSFET N-CH 1KV 0.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 1KV 0.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTY08N100D2-TRL |
![]() |
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 1KV 0.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 1KV 0.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.