Продукція > LITTELFUSE > IXTY08N100D2.
IXTY08N100D2.

IXTY08N100D2. LITTELFUSE

LFSI-S-A0007909279-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXTY08N100D2. - MOSFET, N-CH, 1KV, 0.8A, TO-252
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 21ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+386.69 грн
10+339.16 грн
25+292.43 грн
50+228.16 грн
100+171.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTY08N100D2. LITTELFUSE

Description: LITTELFUSE - IXTY08N100D2. - MOSFET, N-CH, 1KV, 0.8A, TO-252, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Surface Mount, Drain-Source-Spannung Vds: 1kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 800mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: N Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 0V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 21ohm, directShipCharge: 25.