Продукція > LITTELFUSE > IXXH30N65B4D1
IXXH30N65B4D1

IXXH30N65B4D1 Littelfuse


ittelfuse_discrete_igbts_xpt_ixxh30n65b4d1_datasheet.pdf.pdf Виробник: Littelfuse
Trans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXXH30N65B4D1 Littelfuse

Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 30A; 230W; TO247-3, Mounting: THT, Kind of package: tube, Collector current: 30A, Pulsed collector current: 146A, Turn-on time: 65ns, Turn-off time: 206ns, Type of transistor: IGBT, Power dissipation: 230W, Case: TO247-3, Gate charge: 52nC, Technology: GenX4™; Trench; XPT™, Collector-emitter voltage: 650V, Gate-emitter voltage: ±20V, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції IXXH30N65B4D1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXXH30N65B4D1 IXXH30N65B4D1 Виробник : IXYS IXXH30N65B4D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 30A; 230W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 146A
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 206ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 230W
Case: TO247-3
Gate charge: 52nC
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXXH30N65B4D1 IXXH30N65B4D1 Виробник : IXYS media-3319671.pdf IGBT Transistors Disc IGBT XPT-GenX4 TO-247AD
товар відсутній
IXXH30N65B4D1 IXXH30N65B4D1 Виробник : IXYS IXXH30N65B4D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 30A; 230W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 146A
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 206ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 230W
Case: TO247-3
Gate charge: 52nC
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
товар відсутній