Продукція > IXYS > IXXN200N65A4
IXXN200N65A4

IXXN200N65A4 IXYS


IXXN200N65A4.pdf Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 650V; Ic: 200A; SOT227B
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 650V
Collector current: 200A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1.2kA
Power dissipation: 1.25kW
Technology: GenX4™; XPT™
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXXN200N65A4 IXYS

Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 650V; Ic: 200A; SOT227B, Type of module: IGBT, Semiconductor structure: single transistor, Max. off-state voltage: 650V, Collector current: 200A, Case: SOT227B, Electrical mounting: screw, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 1.2kA, Power dissipation: 1.25kW, Technology: GenX4™; XPT™, Mechanical mounting: screw, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції IXXN200N65A4

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXXN200N65A4 IXXN200N65A4 Виробник : IXYS IXXN200N65A4.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 650V; Ic: 200A; SOT227B
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 650V
Collector current: 200A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1.2kA
Power dissipation: 1.25kW
Technology: GenX4™; XPT™
Mechanical mounting: screw
товар відсутній