Продукція > IXYS > IXYX25N250CV1

IXYX25N250CV1 IXYS

Name: IXYX25N250CV1
Brand: IXYS
SKU: 67975134-3
Price: 2116.07 UAH
Availability: InStock

littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixy_25n250cv1_datasheet.pdf.pdf

Виробник: IXYS
Description: IGBT 2500V 95A PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 220 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/230ns
Switching Energy: 8.3mJ (on), 7.3mJ (off)
Test Condition: 1250V, 25A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 147 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 95 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 235 A
Power - Max: 937 W

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1+	2116.07 грн
30+	1651.14 грн

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IXYX25N250CV1 IXYS

Description: IGBT 2500V 95A PLUS247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 220 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 25A, Supplier Device Package: PLUS247™-3, Td (on/off) @ 25°C: 15ns/230ns, Switching Energy: 8.3mJ (on), 7.3mJ (off), Test Condition: 1250V, 25A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 147 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 95 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 235 A, Power - Max: 937 W.

Інші пропозиції IXYX25N250CV1

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
IXYX25N250CV1	Виробник : Littelfuse	Trans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IXYX25N250CV1	Виробник : IXYS	IGBTs 2500V/95A , HV XPT IGBT Copacked	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IXYX25N250CV1	Виробник : IXYS	Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; XPT™; 2.5kV; 25A; 937W; PLUS247™ Type of transistor: IGBT Technology: XPT™ Collector-emitter voltage: 2.5kV Collector current: 25A Power dissipation: 937W Case: PLUS247™ Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 235A Mounting: THT Gate charge: 147nC Kind of package: tube Turn-on time: 51ns Turn-off time: 575ns Features of semiconductor devices: high voltage	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.