JAN1N6129US Microchip Technology
Виробник: Microchip TechnologyDescription: TVS DIODE 69.2VWM 131.36VC MELF
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, B
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 3.8A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 69.2V
Supplier Device Package: B, SQ-MELF
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 82.18V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 131.36V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500/516
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис JAN1N6129US Microchip Technology
Description: TVS DIODE 69.2VWM 131.36VC MELF, Packaging: Bulk, Package / Case: SQ-MELF, B, Mounting Type: Surface Mount, Type: Zener, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Applications: General Purpose, Current - Peak Pulse (10/1000µs): 3.8A, Voltage - Reverse Standoff (Typ): 69.2V, Supplier Device Package: B, SQ-MELF, Bidirectional Channels: 1, Voltage - Breakdown (Min): 82.18V, Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 131.36V, Power - Peak Pulse: 500W, Power Line Protection: No, Grade: Military, Qualification: MIL-PRF-19500/516.
Інші пропозиції JAN1N6129US
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| JAN1N6129US | Виробник : Microsemi |
ESD Suppressors / TVS Diodes Transient Voltage Suppressor |
товару немає в наявності |