JAN2N5664P Microchip Technology
Виробник: Microchip Technology
Description: POWER BJT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-213AA, TO-66-2
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 200nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 5V
Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA)
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Power - Max: 2.5 W
Qualification: MIL-PRF-19500/455
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис JAN2N5664P Microchip Technology
Description: POWER BJT, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-213AA, TO-66-2, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A, Current - Collector Cutoff (Max): 200nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 5V, Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA), Grade: Military, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V, Power - Max: 2.5 W, Qualification: MIL-PRF-19500/455.
Інші пропозиції JAN2N5664P
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| JAN2N5664P | Microchip / Microsemi |
 Bipolar Transistors - BJT 200V 5A 2.5W NPN Pin-D Test Power BJT THT |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| JAN2N5664P |
|
Виробник: Microchip / Microsemi
Bipolar Transistors - BJT 200V 5A 2.5W NPN Pin-D Test Power BJT THT
Bipolar Transistors - BJT 200V 5A 2.5W NPN Pin-D Test Power BJT THT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.