Продукція > MICROSEMI > JANS2N2907AUA

JANS2N2907AUA Microsemi


lds-0059.pdf Виробник: Microsemi
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 500mW 4-Pin UA Tray
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис JANS2N2907AUA Microsemi

Description: TRANS PNP 60V 0.6A UA, Packaging: Bulk, Package / Case: 4-SMD, No Lead, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 10V, Supplier Device Package: UA, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 500 mW.

Інші пропозиції JANS2N2907AUA

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
JANS2N2907AUA JANS2N2907AUA Виробник : Microchip Technology lds-0059.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 500mW 4-Pin UA Tray
товар відсутній
JANS2N2907AUA Виробник : Microchip Technology MIL-PRF-19500_291Y_wAmendment1_7-10-19.pdf Description: TRANS PNP 60V 0.6A UA
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 10V
Supplier Device Package: UA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
товар відсутній