Продукція > SEMICOA > JANS2N3810U
JANS2N3810U

JANS2N3810U Semicoa


2n3810--.pdf Виробник: Semicoa
LOW FREQUENCY POWER SILICON TRANSISTOR
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис JANS2N3810U Semicoa

Description: PNP TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: 6-SMD, No Lead, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP (Dual), Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Power - Max: 350mW, Current - Collector (Ic) (Max): 50mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V, Supplier Device Package: 6-SMD.

Інші пропозиції JANS2N3810U

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
JANS2N3810U Виробник : Microchip Technology Description: PNP TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Power - Max: 350mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: 6-SMD
товар відсутній