Jantx1N4107-1 Microchip / Microsemi
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 440.52 грн |
| 100+ | 403.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис Jantx1N4107-1 Microchip / Microsemi
Description: DIODE ZENER 13V 500MW DO35, Packaging: Bulk, Tolerance: ±5%, Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -65°C ~ 175°C, Voltage - Zener (Nom) (Vz): 13 V, Impedance (Max) (Zzt): 200 Ohms, Supplier Device Package: DO-35, Part Status: Active, Power - Max: 500 mW, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 9.87 V, Grade: Military, Qualification: MIL-PRF-19500/435.
Інші пропозиції Jantx1N4107-1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
JANTX1N4107-1 | Виробник : Microchip Technology |
 Zener Diode Single 13V 5% 200Ohm 500mW 2-Pin DO-35 Bag |
товар відсутній |
|
 |
Jantx1N4107-1 | Виробник : Microchip Technology |
Description: DIODE ZENER 13V 500MW DO35 Packaging: Bulk Tolerance: ±5% Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 13 V Impedance (Max) (Zzt): 200 Ohms Supplier Device Package: DO-35 Part Status: Active Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 9.87 V Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/435 |
товар відсутній |