Продукція > MICROSEMI > JANTXV2N3997

JANTXV2N3997 Microsemi

Виробник: Microsemi
Trans GP BJT NPN 80V 5A 4-Pin TO-111

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Технічний опис JANTXV2N3997 Microsemi

Description: TRANS NPN 80V 10A TO111, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-111-4, Stud, Mounting Type: Stud Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 500mA, 5A, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 2V, Supplier Device Package: TO-111, Current - Collector (Ic) (Max): 10 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 2 W, Grade: Military, Qualification: MIL-PRF-19500/374.

Інші пропозиції JANTXV2N3997

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
	Jantxv2N3997	Виробник : Microchip Technology	Description: TRANS NPN 80V 10A TO111 Packaging: Bulk Package / Case: TO-111-4, Stud Mounting Type: Stud Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 2V Supplier Device Package: TO-111 Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2 W Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/374	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.