JNG30N120HS3 JIAENSEMI
Виробник: JIAENSEMI
Transistor IGBT ; 1200V; 30V; 50A; 100A; 260W; 4V~6V; 165nC; -55°C~150°C; JNG30N120HS3 JIAENSEMI TJNG30n120hs3
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor IGBT ; 1200V; 30V; 50A; 100A; 260W; 4V~6V; 165nC; -55°C~150°C; JNG30N120HS3 JIAENSEMI TJNG30n120hs3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 115.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис JNG30N120HS3 JIAENSEMI
Transistor IGBT ; 1200V; 30V; 50A; 100A; 260W; 4V~6V; 165nC; -55°C~150°C; JNG30N120HS3 JIAENSEMI TJNG30n120hs3, кількість в упаковці: 5 шт.