Продукція > SAMSUNG SEMICONDUCTOR > K4B4G0846E-BYMATCV
K4B4G0846E-BYMATCV

K4B4G0846E-BYMATCV Samsung Semiconductor

2ds_k4b4g0846e_by_m_rev1_31-0.pdf Виробник: Samsung Semiconductor
DRAM Chip DDR3L SDRAM 4Gbit 512Mx8 1.35V/1.5V 78-Pin FBGA
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис K4B4G0846E-BYMATCV Samsung Semiconductor

DRAM Chip DDR3L SDRAM 4Gbit 512Mx8 1.35V/1.5V 78-Pin FBGA.