Технічний опис K6T0808C1DDB55 SAMSUNG
Статическая память (SRAM) (32k x 8 bit, 55ns, Vs=4.5-5.5V, Vdr=2V(min), 0 to +70C).... Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-28 Од. вим: шт.
Інші пропозиції K6T0808C1DDB55
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| K6T0808C1D-DB55 | SAMSUNG | DIP |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| K6T0808C1D-DB55 |
Виробник: SAMSUNG
DIP
DIP
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)